|
|
2013-11-07 14:40
В течение трёх лет Samsung обещает ценовую революцию на рынке SSD Скачать торрент
В течение трёх лет Samsung обещает ценовую революцию на рынке SSD
На днях состоялось такое мероприятие, как Samsung Analyst Day. Представители компании Samsung рассказывали всякое интересное, а немецкие журналисты с сайта Сomputerbase.de честно делились добытой информацией. Новая порция новостей, опубликованная вчера на вышеупомянутом сайте, касается перспектив "вертикальной" флэш-памяти компании Samsung. Напомним, летом этого года Samsung ошарашила всех сообщением, что она приступила к выпуску трёхмерной флэш-памяти 3D V-NAND MLC и твёрдотельных накопителей на её основе — серии SSD 3D V-NAND ёмкостью 480 Гб и 960 Гб. Серийная продукция, хотя, наверняка, объёмы её достаточно скромные, это самое интересное. Ту же память ReRAM кто только не представил, но с серией пока не получается, а тут сразу в готовую продукцию. Сильно!
Конкуренты не отличались оригинальностью. Все они — Micron, Toshiba и SK Hynix — сразу же доложили, что они тоже знают, как выпускать 3D NAND, но им и с планарной памятью неплохо. Надо сказать, что Samsung в последние годы немного отставала от конкурентов в плане снижения масштабов техпроцесса для выпуска NAND-флэш. Это отставание было не критическим — на несколько нанометров в пределах каждого поколения. Возможно в компании пришли к выводу, что дальше добивать техпроцессы в пределах 10-20 нм, как это делает, к примеру, компания Toshiba, уже невыгодно, так что технологию производства дешевле полностью сменить. Как демонстрирует слайд с презентации Samsung, затраты на освоение "планарного" техпроцесса с меньшими нормами потребовали относительного роста капитальных затрат на уровне 45%, тогда как переход на "вертикальные" структуры потянет лишь на 15% увеличения стоимости перевооружения линий.
Обратим ваше внимание, что речь идёт не об упаковке нескольких кристаллов в столбик с использованием сквозных соединений типа TSVs, а о по-настоящему объёмной сплошной структуре памяти. На первом этапе Samsung выпускает 24-слойную 3D V-NAND MLC, и планирует увеличить число слоёв до 32 и более. Поскольку для выпуска 3D V-NAND задействованы старые техпроцессы, себестоимость производства в перспективе значительно ниже, чем при выпуске NAND-флэш с уменьшенными нормами. Так, Samsung говорит о возможности в ближайшие три года снизить стоимость SSD на 50%. Вкупе с использованием NAND-флэш с трёхбитовой ячейкой это действительно сулит скорые перемены на рынке SSD. Что важно, по сравнению с планарной NAND TLC память 3D V-NAND MLC обладает куда лучшими характеристиками. За счёт большего размера ячейки и высокой плотности износоустойчивость 3D V-NAND в 10 раз выше. При этом скорость записи вдвое быстрее, а потребление на 40% меньше. Всё это "счастье" пока нацелено на рынок корпоративных систем хранения данных, но ведь когда-то и на нашей улице будет праздник? Не так ли?
https://www.overclockers.ru
|
